RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
12.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
49
Около -123% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
22
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
17.4
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
2801
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link