RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
62
79
Около 22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.6
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
79
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
14.5
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
1850
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link