RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
62
Около -158% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.8
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
15.1
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
2601
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link