Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB

-->

Средняя оценка

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 18.4

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

61 62

Около -2% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.5 1,843.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

62 61
Скорость чтения, Гб/сек

3,556.6 18.4
Скорость записи, Гб/сек

1,843.6 8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

542 2025

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB

V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB

модули RAM

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB

G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB

G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB

Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB

Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB

Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB

модули RAM