Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB

-->

Средняя оценка

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 15.3

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 62

Около -94% меньшая задержка
Выше скорость записи

10.2 1,843.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

62 32
Скорость чтения, Гб/сек

3,556.6 15.3
Скорость записи, Гб/сек

1,843.6 10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

542 2706

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C

V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB

V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB

Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB

Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB

Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB

модули RAM

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB

Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB

модули RAM