RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
62
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
14.9
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
3206
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link