RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
51
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
40
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
15.7
Скорость записи, Гб/сек
8.1
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
2972
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link