RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
62
Около -138% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.3
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
19.4
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
3648
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link