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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
比较
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
总分
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
62
左右 -138% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.3
1,843.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
26
读取速度,GB/s
3,556.6
19.4
写入速度,GB/s
1,843.6
15.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
542
3648
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM的比较
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB RAM的比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
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