RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
62
Около -107% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.5
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
10.0
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
2234
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link