RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
62
Около -72% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.3
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.0
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
9.3
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
1891
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Сравнения RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link