RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
41
Около 41% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
41
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3731
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link