RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
62
99
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.4
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
99
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
14.4
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
1386
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link