RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
62
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.4
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
42
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
15.7
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
2352
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link