RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
62
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.1
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
3020
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link