Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

-->

Средняя оценка

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Средняя оценка

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 10.1

Среднее значение в тестах

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

53 62

Около -17% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.0 1,843.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

62 53
Скорость чтения, Гб/сек

3,556.6 10.1
Скорость записи, Гб/сек

1,843.6 8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

542 2319

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Kingston 9965643-002.A01G 4GB

Kingston 9965643-002.A01G 4GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Kingston 9905700-047.A00G 16GB

Kingston 9905700-047.A00G 16GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB

Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB

модули RAM

Kingston 9965433-406.A00LF 8GB

Kingston 9965433-406.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB

Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB

Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

InnoDisk Corporation 16GB

InnoDisk Corporation 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB

Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB

модули RAM