Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB

-->

Средняя оценка

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Средняя оценка

Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 18.2

Среднее значение в тестах

Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB

Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 62

Около -121% меньшая задержка
Выше скорость записи

14.2 1,843.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

62 28
Скорость чтения, Гб/сек

3,556.6 18.2
Скорость записи, Гб/сек

1,843.6 14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

542 3501

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB

Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB

Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB

Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB

Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB

модули RAM

Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB

A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB

A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston TSB16D3LS1KFG/4G 4GB

Kingston TSB16D3LS1KFG/4G 4GB

модули RAM

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB

Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB

Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB

Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB

модули RAM

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB

EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB

Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB

Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB

модули RAM