Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

-->

Средняя оценка

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Средняя оценка

Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Сообщить об ошибке

Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

44 62

Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения

8.5 3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

5.6 1,843.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

62 44
Скорость чтения, Гб/сек

3,556.6 8.5
Скорость записи, Гб/сек

1,843.6 5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

542 1660

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB

Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB

Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB

Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB

Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLT8G3D1608DT1TX0. 8GB

Crucial Technology BLT8G3D1608DT1TX0. 8GB

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB

Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB

Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB

Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G

модули RAM