RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
62
Около -138% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.2
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
12.6
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
6.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
1970
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link