Super Talent STT-WB160CL0901 2GB против Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB

-->

Средняя оценка

Super Talent STT-WB160CL0901 2GB

Super Talent STT-WB160CL0901 2GB

Средняя оценка

Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Super Talent STT-WB160CL0901 2GB

Причины выбрать
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

14.9 13.4

Среднее значение в тестах

Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB

Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 26

Около -4% меньшая задержка
Выше скорость записи

11.5 8.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Super Talent STT-WB160CL0901 2GB

Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 25
Скорость чтения, Гб/сек

14.9 13.4
Скорость записи, Гб/сек

8.5 11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2305 2825

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB

Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB

G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB

модули RAM

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kllisre 36JSF1G72PZ-1G9K1 8GB

Kllisre 36JSF1G72PZ-1G9K1 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB

Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB

Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Kingston 9905678-005.A00G 8GB

Kingston 9905678-005.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB

Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB

модули RAM