Super Talent STT-WB160CL0901 2GB против OCZ OCZ3F1600LV2G 2GB

-->

Средняя оценка

Super Talent STT-WB160CL0901 2GB

Super Talent STT-WB160CL0901 2GB

Средняя оценка

OCZ OCZ3F1600LV2G 2GB

OCZ OCZ3F1600LV2G 2GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Super Talent STT-WB160CL0901 2GB

Причины выбрать
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 28

Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.9 7.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.5 3.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

10600 8500

Около 1.25% выше полоса пропускания

OCZ OCZ3F1600LV2G 2GB

Причины выбрать
OCZ OCZ3F1600LV2G 2GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

Super Talent STT-WB160CL0901 2GB

OCZ OCZ3F1600LV2G 2GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

26 28
Скорость чтения, Гб/сек

14.9 7.6
Скорость записи, Гб/сек

8.5 3.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 8500

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1066 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2305 1190

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB

Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB

модули RAM

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB

Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB

модули RAM

Kingston KF2666C16D4/16G 16GB

Kingston KF2666C16D4/16G 16GB

Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB

Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB

модули RAM

Super Talent STT-WB160CL0901 2GB

Super Talent STT-WB160CL0901 2GB

OCZ OCZ3F1600LV2G 2GB

OCZ OCZ3F1600LV2G 2GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB

Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Kingston 9965604-008.D00G 16GB

Kingston 9965604-008.D00G 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Kingston HX421C14FB/4 4GB

Kingston HX421C14FB/4 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB

модули RAM