RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
35
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
5.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
35
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
15.9
Скорость записи, Гб/сек
5.4
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1344
3147
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ME68FAF1600 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link