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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
35
En 14% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
5.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
35
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.4
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1344
3147
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-152.A00G 16GB
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