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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
35
Autour de 14% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
5.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
35
Vitesse de lecture, GB/s
8.6
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
5.4
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1344
3147
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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