Comparaison de la RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB

Note globale

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

30 35

Autour de 14% latence réduite

Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

15.9 8.6

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

11.7 5.4

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

17000 10600

Autour de 1.6 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1344 3147

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns