Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

30 35

Intorno 14% latenza inferiore

Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

15.9 8.6

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

11.7 5.4

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

17000 10600

Intorno 1.6 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1344 3147

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns