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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
35
Intorno 14% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
8.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
5.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
35
Velocità di lettura, GB/s
8.6
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
5.4
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1344
3147
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
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