Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB

Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    36 left arrow 62
    Около -72% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    12.7 left arrow 1,843.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 6400
    Около 4 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    62 left arrow 36
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,556.6 left arrow 16.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,843.6 left arrow 12.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    542 left arrow 2353
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения