RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
62
Около -158% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.5
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
16.9
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
3095
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link