RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
72
Около 63% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
16.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
72
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
16.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
1731
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link