RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
24
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
20.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
24.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
20.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4156
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link