RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB

Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    17.6 left arrow 16.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.0 left arrow 10.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 21300
    Около 1.2% выше полоса пропускания
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    31 left arrow 33
    Около -6% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    33 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    17.6 left arrow 16.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.0 left arrow 10.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    25600 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2910 left arrow 3039

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
модули RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
модули RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
модули RAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
модули RAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
модули RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
модули RAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
модули RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
модули RAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
модули RAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
модули RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
модули RAM