RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
16.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
10.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
33
Около -6% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
31
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
16.4
Скорость записи, Гб/сек
12.0
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
3039
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Lenovo 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link