RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
33
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
31
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3039
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link