RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
45
Wokół strony -165% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
17
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3550
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link