RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
32
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.4
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
19.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3726
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin 994104 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link