RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3726
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link