RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3726
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link