RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
25.2
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.5
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
25.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
19.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
4167
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XN205T-MIE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link