RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Super Talent F21UB8GS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Super Talent F21UB8GS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Super Talent F21UB8GS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
46
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.2
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
22
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
14.0
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
7.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2200
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link