RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 50
    Около 46% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16.7 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    11.8 left arrow 7.3
    Среднее значение в тестах
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    27 left arrow 50
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.7 left arrow 12.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    11.8 left arrow 7.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    21300 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2756 left arrow 2326

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM

Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
модули RAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
модули RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
модули RAM
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
модули RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
модули RAM
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
модули RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
модули RAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
модули RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
модули RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
модули RAM