RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
11
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
65
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.7
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
46
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
11.0
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2481
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link