RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
11
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
65
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
46
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
11.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
2481
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link