RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
14.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.0
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
14.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3377
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link