RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.9
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
19200
Около 1.22 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
23400
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3093
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link