RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.6
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
27
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
14.6
Скорость записи, Гб/сек
8.5
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
2409
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link