RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
16.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.2
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
16.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3033
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link