RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
10.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
10.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2235
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8C-PB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link