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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
10.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
33
读取速度,GB/s
16.7
10.3
写入速度,GB/s
11.8
8.1
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2756
2235
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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