Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 31
    Около 13% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16.9 left arrow 16.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.4 left arrow 11.8
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    27 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.7 left arrow 16.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    11.8 left arrow 12.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    21300 left arrow no data
Other
  • Описание
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • Тайминги / частота
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow no data
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2756 left arrow 3043
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения