RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905403-182.A01LF 2GB
Сравнить
Kingston K531R8-MIN 4GB против Kingston 9905403-182.A01LF 2GB
-->
Средняя оценка
Kingston K531R8-MIN 4GB
Средняя оценка
Kingston 9905403-182.A01LF 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston K531R8-MIN 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
12800
10600
Около 1.21% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston 9905403-182.A01LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
28
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
9.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905403-182.A01LF 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
28
21
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
10600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2445
2616
Kingston K531R8-MIN 4GB Сравнения RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Kingston 9905403-182.A01LF 2GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905403-182.A01LF 2GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link