RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
9.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
87
Около -222% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
13.8
Скорость записи, Гб/сек
870.4
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2323
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link