Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 12.6

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

36 59

Около -64% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.1 2,123.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

59 36
Скорость чтения, Гб/сек

4,833.8 12.6
Скорость записи, Гб/сек

2,123.3 8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

731 2055

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Kingston 9905625-075.A00G 16GB

Kingston 9905625-075.A00G 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB

Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB

модули RAM

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB

Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB

Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB

Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB

модули RAM

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB

Kingston XCCT36-MIE 16GB

Kingston XCCT36-MIE 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Kingston 9905703-009.A00G 16GB

Kingston 9905703-009.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Kingston 9905665-023.A00G 4GB

Kingston 9905665-023.A00G 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB

Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB

модули RAM