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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
総合得点
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
総合得点
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
12.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
36
59
周辺 -64% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.1
2,123.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
59
36
読み出し速度、GB/s
4,833.8
12.6
書き込み速度、GB/秒
2,123.3
8.1
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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